Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

IGBT Ic 890 A Uce 1200 V 20 mW


Liczba:  opakowanie  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2539815
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     FF900R12ME7WB11BPSA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 890 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V
Maksymalna strata mocy = 20 mW
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
890 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
20V
Maksymalna strata mocy:
20 mW
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 2539815, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, FF900R12ME7WB11BPSA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 8 909,91402*
  
Cena obowiązuje od 500 opakowania
1 opakowanie zawiera 6 szt. (od PLN 1 484,98567* za szt.)
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 opakowanie
PLN 9 332,484*
PLN 11 478,95532
za opakowanie
od 2 opakowania
PLN 9 293,604*
PLN 11 431,13292
za opakowanie
od 5 opakowania
PLN 9 109,00404*
PLN 11 204,07497
za opakowanie
od 10 opakowania
PLN 9 005,52402*
PLN 11 076,79454
za opakowanie
od 500 opakowania
PLN 8 909,91402*
PLN 10 959,19424
za opakowanie
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.