Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 20 mW


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2539839
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     FP75R12N3T7B11BPSA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V
Maksymalna strata mocy = 20 mW
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
75 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
20V
Maksymalna strata mocy:
20 mW
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 2539839, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, FP75R12N3T7B11BPSA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 624,458*
  
Cena obowiązuje od 500 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 785,775*
PLN 966,503
za szt.
od 2 szt.
PLN 742,12*
PLN 912,808
za szt.
od 5 szt.
PLN 677,918*
PLN 833,839
za szt.
od 10 szt.
PLN 664,868*
PLN 817,788
za szt.
od 500 szt.
PLN 624,458*
PLN 768,083
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.