Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

IGBT Ic 200 A Uce 1200 V 20 mW


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2539851
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     FS200R12N3T7BPSA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V
Maksymalna strata mocy = 20 mW
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
200 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
20V
Maksymalna strata mocy:
20 mW
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, moduł igbt, 2539851, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, FS200R12N3T7BPSA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 672,495*
  
Cena obowiązuje od 5 000 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 10 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 10 szt.
PLN 703,625*
PLN 865,459
za szt.
od 20 szt.
PLN 699,855*
PLN 860,822
za szt.
od 50 szt.
PLN 686,645*
PLN 844,573
za szt.
od 100 szt.
PLN 678,685*
PLN 834,783
za szt.
od 5000 szt.
PLN 672,495*
PLN 827,169
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.