Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

IGBT Ic 200 A Uce 1200 V 20 mW


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2539852
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     FS200R12N3T7BPSA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V
Maksymalna strata mocy = 20 mW
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
200 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
20V
Maksymalna strata mocy:
20 mW
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 2539852, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, FS200R12N3T7BPSA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 944,978*
  
Cena obowiązuje od 500 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 1 178,615*
PLN 1 449,696
za szt.
od 2 szt.
PLN 1 099,195*
PLN 1 352,01
za szt.
od 3 szt.
PLN 1 052,948*
PLN 1 295,126
za szt.
od 5 szt.
PLN 1 015,578*
PLN 1 249,161
za szt.
od 10 szt.
PLN 982,728*
PLN 1 208,755
za szt.
od 500 szt.
PLN 944,978*
PLN 1 162,323
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.