| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2567358 Nr producenta: SI3483DDV-T1-GE3 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 6,4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = TSOP-6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | P | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 6,4 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30 V | Typ opakowania: | TSOP-6 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2567358, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SI3483DDVT1GE3 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |