Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

IGBT Uce 1200 V AG-ECONO2C-311 155 W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2580860
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     FP25R12KT3BPSA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V
Maksymalna strata mocy = 155 W
Typ opakowania = AG-ECONO2C-311
Dalsze informacje:
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±20V
Maksymalna strata mocy:
155 W
Typ opakowania:
AG-ECONO2C-311
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 2580860, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, FP25R12KT3BPSA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 510,1844*
  
Cena obowiązuje od 7 500 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 15 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 15 szt.
PLN 528,5544*
PLN 650,12191
za szt.
od 30 szt.
PLN 526,8944*
PLN 648,08011
za szt.
od 75 szt.
PLN 518,6444*
PLN 637,93261
za szt.
od 150 szt.
PLN 513,7344*
PLN 631,89331
za szt.
od 7500 szt.
PLN 510,1844*
PLN 627,52681
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.