IGBT Uce 1200 V AG-ECONO2B-311 355 W

Liczba:

szt.

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-2580900

Producent:
Infineon

Nr producenta:
FS75R12KT3BPSA1

EAN/GTIN:
brak danych

Słowa kluczowe:

Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V
Maksymalna strata mocy = 355 W
Typ opakowania = AG-ECONO2B-311

Dalsze informacje:


Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:	±20V
Maksymalna strata mocy:	355 W
Typ opakowania:	AG-ECONO2B-311

Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 2580900, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, FS75R12KT3BPSA1

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 500,9776*

Cena obowiązuje od 7 500 szt.

Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 15 szt.

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

od 15 szt.	PLN 518,4376*	PLN 637,67825	za szt.
od 30 szt.	PLN 516,1076*	PLN 634,81235	za szt.
od 75 szt.	PLN 508,1476*	PLN 625,02155	za szt.
od 150 szt.	PLN 503,5176*	PLN 619,32665	za szt.
od 7500 szt.	PLN 500,9776*	PLN 616,20245	za szt.

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.