Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

IGBT Ic 80 A Uce 1,65 V TO-247 535 W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2615072
Producent:
     ST Microelectronics
Nr producenta:
     STGWA80H65DFBAG
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1,65 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V
Maksymalna strata mocy = 535 W
Typ opakowania = TO-247
Typ montażu = Otwór przezierny
Liczba styków = 3
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
80 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1,65 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
20V
Maksymalna strata mocy:
535 W
Typ opakowania:
TO-247
Typ montażu:
Otwór przezierny
Liczba styków:
3
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 2615072, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, STMicroelectronics, STGWA80H65DFBAG
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 20,531*
  
Cena obowiązuje od 7 500 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 31,552*
PLN 38,809
za szt.
od 5 szt.
PLN 29,496*
PLN 36,28
za szt.
od 10 szt.
PLN 26,737*
PLN 32,887
za szt.
od 15 szt.
PLN 25,448*
PLN 31,301
za szt.
od 20 szt.
PLN 23,811*
PLN 29,288
za szt.
od 50 szt.
PLN 23,511*
PLN 28,919
za szt.
od 7500 szt.
PLN 20,531*
PLN 25,253
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.