MOSFET N-kanałowy 65 A TO-252 40 V SMD

Liczba:

szt.

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-2619329

Producent:
ROHM Semiconductor

Nr producenta:
RD3G03BBGTL1

EAN/GTIN:
brak danych

Słowa kluczowe:

Typ kanału = N
Maksymalny ciągły prąd drenu = 65 A
Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V
Typ opakowania = TO-252
Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Dalsze informacje:


Typ kanału:	N
Maksymalny ciągły prąd drenu:	65 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:	40 V
Typ opakowania:	TO-252
Typ montażu:	Montaż powierzchniowy

Dalsze słowa kluczowe: tranzystor mosfet, 2619329, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, ROHM, RD3G03BBGTL1

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 2,529*

Cena obowiązuje od 1 250 000 szt.

Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 2 500 szt.

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

od 2500 szt.	PLN 2,609*	PLN 3,209	za szt.
od 5000 szt.	PLN 2,599*	PLN 3,197	za szt.
od 12500 szt.	PLN 2,569*	PLN 3,16	za szt.
od 25000 szt.	PLN 2,549*	PLN 3,135	za szt.
od 1250000 szt.	PLN 2,529*	PLN 3,111	za szt.

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.