Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

MOSFET N-kanałowy 35 A TO-263 600 V SMD


Liczba:  opakowania  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2688289
Producent:
     Vishay
Nr producenta:
     SIHB080N60E-GE3
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
MOSFET
Tranzystor MOSFET
Tranzystory MOSFET
tranzystor mosfet
Typ kanału = N
Maksymalny ciągły prąd drenu = 35 A
Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V
Typ opakowania = TO-263
Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Liczba styków = 3
Tryb kanałowy = Rozszerzenie
Materiał tranzystora = Krzem
Dalsze informacje:
Typ kanału:
N
Maksymalny ciągły prąd drenu:
35 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:
600 V
Typ opakowania:
TO-263
Typ montażu:
Montaż powierzchniowy
Liczba styków:
3
Tryb kanałowy:
Rozszerzenie
Liczba elementów na układ:
2
Materiał tranzystora:
Krzem
Dalsze słowa kluczowe: 2688289, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SIHB080N60EGE3
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 21,796*
  
Cena obowiązuje od 12 500 opakowania
1 opakowanie zawiera 2 szt. (od PLN 10,898* za szt.)
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 25 opakowania
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 25 opakowania
PLN 41,67*
PLN 51,2541
za opakowanie
od 50 opakowania
PLN 33,736*
PLN 41,49528
za opakowanie
od 125 opakowania
PLN 32,886*
PLN 40,44978
za opakowanie
od 250 opakowania
PLN 27,504*
PLN 33,82992
za opakowanie
od 500 opakowania
PLN 23,116*
PLN 28,43268
za opakowanie
od 12500 opakowania
PLN 21,796*
PLN 26,80908
za opakowanie
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.