Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  >  > Artykuł

MOSFET N-kanałowy 35 A TO-263 600 V SMD


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2688290
Producent:
     Vishay
Nr producenta:
     SIHB080N60E-GE3
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
2688290
Półprzewodniki
Elementy dyskretne
Tranzystory MOSFET
Typ kanału = N
Maksymalny ciągły prąd drenu = 35 A
Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V
Typ opakowania = TO-263
Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Liczba styków = 3
Tryb kanałowy = Rozszerzenie
Materiał tranzystora = Krzem
Dalsze informacje:
Typ kanału:
N
Maksymalny ciągły prąd drenu:
35 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:
600 V
Typ opakowania:
TO-263
Typ montażu:
Montaż powierzchniowy
Liczba styków:
3
Tryb kanałowy:
Rozszerzenie
Liczba elementów na układ:
2
Materiał tranzystora:
Krzem
Dalsze słowa kluczowe: Vishay, SIHB080N60EGE3
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 13,161*
  
Cena obowiązuje od 6 000 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 2 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 2 szt.
PLN 26,175*
PLN 32,195
za szt.
od 4 szt.
PLN 25,825*
PLN 31,765
za szt.
od 10 szt.
PLN 22,63*
PLN 27,835
za szt.
od 20 szt.
PLN 21,406*
PLN 26,329
za szt.
od 40 szt.
PLN 21,066*
PLN 25,911
za szt.
od 100 szt.
PLN 17,591*
PLN 21,637
za szt.
od 500 szt.
PLN 15,001*
PLN 18,451
za szt.
od 6000 szt.
PLN 13,161*
PLN 16,188
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.