Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 > Wyszukiwanie "sihb080n60ege3"

  sihb080n60ege3  (13 ofert spośród 4 811 724 artykułów)

Podobne słowa kluczowe o zoptymalizowanej liście wyników.:
Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „sihb080n60ege3“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
% ^v
Fotografia
Zamów
99%
MOSFET N-kanałowy 35 A TO-263 600 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 35 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = TO-263 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie...
Vishay
SIHB080N60E-GE3
od PLN 21,806*
za 2 szt.
 
 opakowania
99%
MOSFET N-kanałowy 35 A TO-263 600 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 35 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = TO-263 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie...
Vishay
SIHB080N60E-GE3
od PLN 13,261*
za szt.
 
 szt.
92%
MOSFET N-kanałowy 35 A TO-247AC 650 V 0.08 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 35 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = E Series Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0...
Vishay
SiHG080N60E-GE3
od PLN 12,007*
za szt.
 
 szt.
92%
MOSFET N-kanałowy 14 A TO-220 FP 650 V 0.08 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 14 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = E Series Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0...
Vishay
SiHF080N60E-GE3
od PLN 12,507*
za szt.
 
 szt.
92%
MOSFET N-kanałowy 14 A TO-220 FP 650 V 0.08 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 14 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = E Series Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0...
Vishay
SiHF080N60E-GE3
od PLN 12,564*
za szt.
 
 szt.
92%
MOSFET N-kanałowy 35 A TO-247AC 650 V 0.08 Ω (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 35 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = E Series Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0...
Vishay
SiHG080N60E-GE3
od PLN 12,76*
za szt.
 
 szt.
92%
MOSFET N-kanałowy 35 A TO-220AB 650 V 0.08 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 35 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-220AB Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źró...
Vishay
SiHP080N60E-GE3
od PLN 12,574*
za szt.
 
 szt.
92%
MOSFET N-kanałowy 35 A TO-220AB 650 V 0.08 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 35 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-220AB Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źró...
Vishay
SiHP080N60E-GE3
od PLN 12,423*
za szt.
 
 szt.
92%
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 12A; Idm: 44A; 156W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: D2PAK;TO263 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,18Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 156W Polaryzacja: u...
Vishay
SIHB180N60E-GE3
od PLN 8,76*
za szt.
 
 szt.
90%
MOSFET N-kanałowy 34 A TO-263 650 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 34 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-263 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie...
Vishay
SIHB085N60EF-GE3
od PLN 608,49*
za 50 szt.
 
 opakowanie
90%
MOSFET N-kanałowy 34 A TO-263 650 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 34 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-263 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie...
Vishay
SIHB085N60EF-GE3
od PLN 13,90*
za szt.
 
 szt.
90%
MOSFET N-kanałowy 41 A D2PAK (TO-263) 600 V SMD 0,068 oma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 41 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = D2PAK (TO-263) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystanc...
Vishay
SIHB068N60EF-GE3
od PLN 15,702*
za szt.
 
 szt.
90%
MOSFET N-kanałowy 41 A D2PAK (TO-263) 600 V SMD 0,068 oma (2 ofert) 
Tranzystor MOSFET z serii Vishay EF z diodą Fast Body jest wyposażony w technologię 4. Generacji serii E. Zmniejszyła straty związane z przełączaniem i przewodnictwem.Klasa energetyczna lawiny (UIS...
Vishay
SIHB068N60EF-GE3
od PLN 15,55*
za szt.
 
 szt.
Liczba artykułów na stronie: 10   Wszystkie   

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.