Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

IGBT Ic 100 A Uce 1200 V 7 kanał: N 20 mW


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2732919
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     FP100R12N2T7BPSA2
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V
Maksymalna strata mocy = 20 mW
Konfiguracja = Emiter wspólny
Typ montażu = Montaż na panelu
Typ kanału = N
Liczba styków = 31
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
100 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±20V
Maksymalna strata mocy:
20 mW
Liczba tranzystorów:
7
Konfiguracja:
Emiter wspólny
Typ montażu:
Montaż na panelu
Typ kanału:
N
Liczba styków:
31
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 2732919, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, FP100R12N2T7BPSA2
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 612,777*
  
Cena obowiązuje od 7 500 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 15 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 15 szt.
PLN 697,207*
PLN 857,565
za szt.
od 30 szt.
PLN 633,817*
PLN 779,595
za szt.
od 75 szt.
PLN 625,407*
PLN 769,251
za szt.
od 150 szt.
PLN 618,517*
PLN 760,776
za szt.
od 7500 szt.
PLN 612,777*
PLN 753,716
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.