Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 6 kanał: N 280 W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2732929
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     FS50R12KT3BPSA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V
Maksymalna strata mocy = 280 W
Konfiguracja = Emiter wspólny
Typ montażu = Montaż na panelu
Typ kanału = N
Liczba styków = 28
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
75 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±20V
Maksymalna strata mocy:
280 W
Liczba tranzystorów:
6
Konfiguracja:
Emiter wspólny
Typ montażu:
Montaż na panelu
Typ kanału:
N
Liczba styków:
28
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, moduł igbt, 2732929, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, FS50R12KT3BPSA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 428,912*
  
Cena obowiązuje od 7 500 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 15 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 15 szt.
PLN 460,255*
PLN 566,114
za szt.
od 30 szt.
PLN 444,792*
PLN 547,094
za szt.
od 75 szt.
PLN 438,902*
PLN 539,849
za szt.
od 150 szt.
PLN 433,582*
PLN 533,306
za szt.
od 7500 szt.
PLN 428,912*
PLN 527,562
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.