Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

IGBT PG-TDSON-8 kanał: N 62,5 W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2735240
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     BSC16DN25NS3GATMA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V
Maksymalna strata mocy = 62,5 W
Typ opakowania = PG-TDSON-8
Typ montażu = Otwór przezierny
Typ kanału = N
Liczba styków = 8
Dalsze informacje:
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±20V
Maksymalna strata mocy:
62,5 W
Typ opakowania:
PG-TDSON-8
Typ montażu:
Otwór przezierny
Typ kanału:
N
Liczba styków:
8
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, 2735240, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, BSC16DN25NS3GATMA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 3,076*
  
Cena obowiązuje od 37 500 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 5 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 5 szt.
PLN 5,688*
PLN 6,996
za szt.
od 25 szt.
PLN 5,548*
PLN 6,824
za szt.
od 50 szt.
PLN 4,56*
PLN 5,609
za szt.
od 100 szt.
PLN 4,42*
PLN 5,437
za szt.
od 250 szt.
PLN 4,26*
PLN 5,24
za szt.
od 500 szt.
PLN 3,645*
PLN 4,483
za szt.
od 1000 szt.
PLN 3,589*
PLN 4,414
za szt.
od 2500 szt.
PLN 3,496*
PLN 4,30
za szt.
od 37500 szt.
PLN 3,076*
PLN 3,783
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.