Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

IGBT Ic 100 A Uce 1200 V 515 W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2735346
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     IFS100B12N3E4B31BOSA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V
Maksymalna strata mocy = 515 W
Typ montażu = Montaż na panelu
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
100 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±20V
Maksymalna strata mocy:
515 W
Typ montażu:
Montaż na panelu
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 2735346, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, IFS100B12N3E4B31BOSA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 1 029,62*
  
Cena obowiązuje od 100 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 10 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 10 szt.
PLN 1 145,07*
PLN 1 408,44
za szt.
od 20 szt.
PLN 1 137,95*
PLN 1 399,68
za szt.
od 30 szt.
PLN 1 043,13*
PLN 1 283,05
za szt.
od 50 szt.
PLN 1 036,12*
PLN 1 274,43
za szt.
od 100 szt.
PLN 1 029,62*
PLN 1 266,43
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.