Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł IGBT Ic 650 A Uce 150 V Moduł 335 W


Liczba:  opakowanie  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2737364
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     F3L150R07W2E3B11BOMA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 650 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 150 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V
Maksymalna strata mocy = 335 W
Typ opakowania = Moduł
Typ montażu = Montaż na panelu
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
650 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
150 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
+/-20V
Maksymalna strata mocy:
335 W
Typ opakowania:
Moduł
Typ montażu:
Montaż na panelu
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 2737364, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, F3L150R07W2E3B11BOMA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 5 148,01005*
  
Cena obowiązuje od 500 opakowania
1 opakowanie zawiera 15 szt. (od PLN 343,20067* za szt.)
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 opakowanie
PLN 5 864,0751*
PLN 7 212,81237
za opakowanie
od 2 opakowania
PLN 5 836,5651*
PLN 7 178,97507
za opakowanie
od 5 opakowania
PLN 5 734,515*
PLN 7 053,45345
za opakowanie
od 7 opakowania
PLN 5 256,67005*
PLN 6 465,70416
za opakowanie
od 10 opakowania
PLN 5 202,8601*
PLN 6 399,51792
za opakowanie
od 500 opakowania
PLN 5 148,01005*
PLN 6 332,05236
za opakowanie
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.