Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

IGBT Ic 90 A Uce 650 V 1 SOT-227 kanał: N 230 W


Liczba:  opakowanie  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2741328
Producent:
     Vishay
Nr producenta:
     VS-GT100LA65UF
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 90 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V
Maksymalna strata mocy = 230 W
Typ opakowania = SOT-227
Typ montażu = Montaż na panelu
Typ kanału = N
Liczba styków = 4
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
90 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
± 20V
Maksymalna strata mocy:
230 W
Liczba tranzystorów:
1
Konfiguracja:
Pojedyncza
Typ opakowania:
SOT-227
Typ montażu:
Montaż na panelu
Typ kanału:
N
Liczba styków:
4
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 2741328, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Vishay, VSGT100LA65UF
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 1 104,81*
  
Cena obowiązuje od 500 opakowania
1 opakowanie zawiera 10 szt. (od PLN 110,481* za szt.)
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 opakowanie
PLN 1 407,81*
PLN 1 731,6063
za opakowanie
od 2 opakowania
PLN 1 359,27*
PLN 1 671,9021
za opakowanie
od 5 opakowania
PLN 1 265,73*
PLN 1 556,8479
za opakowanie
od 10 opakowania
PLN 1 154,72*
PLN 1 420,3056
za opakowanie
od 500 opakowania
PLN 1 104,81*
PLN 1 358,9163
za opakowanie
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.