Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

IGBT Ic 193 A Uce 650 V 2 INT-A-PAK kanał: N 517 W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2766407
Producent:
     Vishay
Nr producenta:
     VS-GT200TS065N
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 193 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V
Maksymalna strata mocy = 517 W
Konfiguracja = Półmostek
Typ montażu = Montaż na panelu
Typ kanału = N
Liczba styków = 7
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
193 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
± 20V
Maksymalna strata mocy:
517 W
Liczba tranzystorów:
2
Konfiguracja:
Półmostek
Typ opakowania:
INT-A-PAK
Typ montażu:
Montaż na panelu
Typ kanału:
N
Liczba styków:
7
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 2766407, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Vishay, VSGT200TS065N
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 361,632*
  
Cena obowiązuje od 500 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 462,302*
PLN 568,631
za szt.
od 2 szt.
PLN 450,742*
PLN 554,413
za szt.
od 5 szt.
PLN 415,722*
PLN 511,338
za szt.
od 10 szt.
PLN 382,672*
PLN 470,687
za szt.
od 500 szt.
PLN 361,632*
PLN 444,807
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.