MOSFET N-kanałowy 1 A HVMDIP 100 V Pojedynczy 1.3 W 540 miliomów

Liczba:

opakowanie

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-301338

Producent:
Vishay

Nr producenta:
IRLD110PBF

EAN/GTIN:
5059040965546

Słowa kluczowe:

N-Channel MOSFET, od 100V do 150V, Vishay Semiconductor

Dalsze informacje:


Typ kanału:	N
Maksymalny ciągły prąd drenu:	1 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:	100 V
Typ opakowania:	HVMDIP
Typ montażu:	Otwór przezierny
Liczba styków:	4
Maksymalna rezystancja dren-źródło:	540 miliomów
Tryb kanałowy:	Rozszerzenie
Minimalne napięcie progowe VGS:	1V
Maksymalna strata mocy:	1.3 W
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	-10 V, +10 V
Długość:	5mm
Maksymalna temperatura robocza:	+175 °C
Liczba elementów na układ:	1

Dalsze słowa kluczowe: 301338, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, IRLD110PBF

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 22,97*

Cena obowiązuje od 3 000 opakowania

1 opakowanie zawiera 5 szt. (od PLN 4,594* za szt.)

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 opakowanie	PLN 40,065*	PLN 49,27995	za opakowanie
od 2 opakowania	PLN 39,915*	PLN 49,09545	za opakowanie
od 5 opakowania	PLN 39,115*	PLN 48,11145	za opakowanie
od 10 opakowania	PLN 32,365*	PLN 39,80895	za opakowanie
od 20 opakowania	PLN 31,855*	PLN 39,18165	za opakowanie
od 25 opakowania	PLN 30,34*	PLN 37,3182	za opakowanie
od 50 opakowania	PLN 28,505*	PLN 35,06115	za opakowanie
od 100 opakowania	PLN 26,38*	PLN 32,4474	za opakowanie
od 3000 opakowania	PLN 22,97*	PLN 28,2531	za opakowanie