|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-3958384 Nr producenta:
VSKT162/12PBF EAN/GTIN:
5059040918221 |
| |
|
| | |
| Plik zatwierdzony przez UL E78996. Tyrystor/tyrystor VS-VSKT, moduły INT-A-PAK, Vishay Semiconductor. Dwie konfiguracje tyrystorów (SCR) 3500V ;sub> RMS ;/sub> odłączające napięcie od metalowej podstawy Standardowy pakiet przemysłowy INT-A-PAK Wysoka odporność na przepięcia Dalsze informacje: | | Średni prąd znamionowy w stanie włączenia: | 160A | Typ tyrystora: | Tranzystor IGBT | Typ opakowania: | INT-A-PAK | Powtarzalne szczytowe napięcie wsteczne: | 1200V | Znamionowy prąd udarowy: | 5.1kA | Typ montażu: | Montaż na panelu | Maksymalny prąd wyzwalania bramki: | 270mA | Maksymalne napięcie wyzwalania bramki: | 4V | Maksymalny prąd trzymania: | 200mA | Liczba styków: | 7 | Wymiary: | 94 x 35 x 30mm | Maksymalna temperatura robocza: | +125 °C | Minimalna temperatura robocza: | -40 °C | Szczytowe napięcie w stanie włączenia: | 1.54V | Powtarzalne szczytowe napięcie zaporowe przewodzenia: | 1200V |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: IGBT, Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, Moduł tyrystorowy, Moduły tyrystorowe, Tranzystor, Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 3958384, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tyrystory, Vishay, VSKT16212PBF |
| | |
| |