MOSFET N-kanałowy 2.5 A HVMDIP 60 V Pojedynczy 1.3 W 100 mΩ

Liczba:

szt.

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-5410525

Producent:
Vishay

Nr producenta:
IRFD024PBF

EAN/GTIN:
5059040894709

Słowa kluczowe:

MOSFET, kanał N, od 60 V do 90 V, Vishay Semiconductor

Dalsze informacje:


Typ kanału:	N
Maksymalny ciągły prąd drenu:	2.5 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:	60 V
Typ opakowania:	HVMDIP
Typ montażu:	Otwór przezierny
Liczba styków:	4
Maksymalna rezystancja dren-źródło:	100 mΩ
Tryb kanałowy:	Rozszerzenie
Minimalne napięcie progowe VGS:	2V
Maksymalna strata mocy:	1.3 W
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	-20 V, +20 V
Długość:	5mm
Maksymalna temperatura robocza:	+175 °C
Liczba elementów na układ:	1

Dalsze słowa kluczowe: 5410525, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, IRFD024PBF

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 6,913*

Cena obowiązuje od 15 000 szt.

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 szt.	PLN 8,883*	PLN 10,926	za szt.
od 10 szt.	PLN 8,673*	PLN 10,668	za szt.
od 20 szt.	PLN 8,573*	PLN 10,545	za szt.
od 50 szt.	PLN 8,153*	PLN 10,028	za szt.
od 100 szt.	PLN 7,973*	PLN 9,807	za szt.
od 15000 szt.	PLN 6,913*	PLN 8,503	za szt.