MOSFET N-kanałowy 1.3 A HVMDIP 100 V Pojedynczy 1.3 W 270 mΩ

Liczba:

szt.

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-5411691

Producent:
Vishay

Nr producenta:
IRFD120PBF

EAN/GTIN:
5059040918962

Słowa kluczowe:

N-Channel MOSFET, od 100V do 150V, Vishay Semiconductor

Dalsze informacje:


Typ kanału:	N
Maksymalny ciągły prąd drenu:	1.3 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:	100 V
Typ opakowania:	HVMDIP
Typ montażu:	Otwór przezierny
Liczba styków:	4
Maksymalna rezystancja dren-źródło:	270 mΩ
Tryb kanałowy:	Rozszerzenie
Minimalne napięcie progowe VGS:	2V
Maksymalna strata mocy:	1.3 W
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	-20 V, +20 V
Długość:	5mm
Maksymalna temperatura robocza:	+175 °C
Liczba elementów na układ:	1

Dalsze słowa kluczowe: 5411691, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, IRFD120PBF

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 3,90*

Cena obowiązuje od 30 000 szt.

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 szt.	PLN 7,45*	PLN 9,16	za szt.
od 10 szt.	PLN 6,57*	PLN 8,08	za szt.
od 50 szt.	PLN 5,78*	PLN 7,11	za szt.
od 100 szt.	PLN 5,03*	PLN 6,19	za szt.
od 200 szt.	PLN 4,91*	PLN 6,04	za szt.
od 250 szt.	PLN 4,43*	PLN 5,45	za szt.
od 30000 szt.	PLN 3,90*	PLN 4,80	za szt.