MOSFET N-kanałowy 1.8 A TO-220AB 800 V Pojedynczy 54 W 6,5 oma

Liczba:

szt.

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-5429535

Producent:
Vishay

Nr producenta:
IRFBE20PBF

EAN/GTIN:
5059040908277

Słowa kluczowe:

MOSFET N-Channel, od 600 V do 1000 V, Vishay Semiconductor

Dalsze informacje:


Typ kanału:	N
Maksymalny ciągły prąd drenu:	1.8 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:	800 V
Typ opakowania:	TO-220AB
Typ montażu:	Otwór przezierny
Liczba styków:	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło:	6,5 oma
Tryb kanałowy:	Rozszerzenie
Minimalne napięcie progowe VGS:	2V
Maksymalna strata mocy:	54 W
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	-20 V, +20 V
Długość:	10.41mm
Maksymalna temperatura robocza:	+150 °C
Liczba elementów na układ:	1

Dalsze słowa kluczowe: 5429535, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, IRFBE20PBF

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 4,677*

Cena obowiązuje od 15 000 szt.

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 szt.	PLN 6,117*	PLN 7,524	za szt.
od 10 szt.	PLN 5,907*	PLN 7,266	za szt.
od 20 szt.	PLN 5,817*	PLN 7,155	za szt.
od 50 szt.	PLN 5,647*	PLN 6,946	za szt.
od 100 szt.	PLN 5,417*	PLN 6,663	za szt.
od 15000 szt.	PLN 4,677*	PLN 5,753	za szt.