MOSFET N-kanałowy 10 A PW Mold 100 V SMD Pojedynczy 20 W 125 miliomów

Liczba:

opakowanie

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-6012116

Producent:
Toshiba

Nr producenta:
2SK3669(Q)

EAN/GTIN:
5059041950152

Słowa kluczowe:

MOSFET N-Channel, seria 2SK Toshiba

Dalsze informacje:


Typ kanału:	N
Maksymalny ciągły prąd drenu:	10 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:	100 V
Typ opakowania:	PW Mold
Seria:	2SK
Typ montażu:	Montaż powierzchniowy
Liczba styków:	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło:	125 miliomów
Tryb kanałowy:	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS:	5V
Maksymalna strata mocy:	20 W
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	-20 V, +20 V
Długość:	6.5mm
Maksymalna temperatura robocza:	+150 °C

Dalsze słowa kluczowe: 6012116, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Toshiba, 2SK3669(Q)

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 9,365*

Cena obowiązuje od 7 500 opakowania

1 opakowanie zawiera 5 szt. (od PLN 1,873* za szt.)

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 opakowanie	PLN 11,925*	PLN 14,66775	za opakowanie
od 5 opakowania	PLN 11,775*	PLN 14,48325	za opakowanie
od 10 opakowania	PLN 11,645*	PLN 14,32335	za opakowanie
od 20 opakowania	PLN 11,495*	PLN 14,13885	za opakowanie
od 50 opakowania	PLN 10,745*	PLN 13,21635	za opakowanie
od 7500 opakowania	PLN 9,365*	PLN 11,51895	za opakowanie

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.