IGBT Ic 30 A Uce 600 V TO-3PNIS Pojedynczy kanał: N

Liczba:

szt.

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-6012807

Producent:
Toshiba

Nr producenta:
GT30J322(Q)

EAN/GTIN:
5059041944939

Słowa kluczowe:

Moduł IGBT dyskretes Toshiba

Dalsze informacje:


Maksymalny ciągły prąd kolektora:	30 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	600 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:	±20V
Typ opakowania:	TO-3PNIS
Typ montażu:	Otwór przezierny
Typ kanału:	N
Liczba styków:	3
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Wymiary:	15.8 x 5 x 21mm
Maksymalna temperatura robocza:	+150 °C

Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, igbt toshiba, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 6012807, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Toshiba, GT30J322(Q)

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 7,41*

Cena obowiązuje od 15 000 szt.

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 szt.	PLN 16,63*	PLN 20,45	za szt.
od 10 szt.	PLN 16,23*	PLN 19,96	za szt.
od 20 szt.	PLN 15,64*	PLN 19,24	za szt.
od 25 szt.	PLN 13,30*	PLN 16,36	za szt.
od 50 szt.	PLN 12,85*	PLN 15,81	za szt.
od 100 szt.	PLN 11,21*	PLN 13,79	za szt.
od 250 szt.	PLN 9,72*	PLN 11,96	za szt.
od 500 szt.	PLN 8,46*	PLN 10,41	za szt.
od 15000 szt.	PLN 7,41*	PLN 9,11	za szt.

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.