|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-6710337 Nr producenta:
FCB11N60TM EAN/GTIN:
5059042847505 |
| |
|
| | |
| SuperFET® i SuperFET® II N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor. Fairchild uzupełniła serię MOSFET SuperFET® II o wysokonapięciowy wzmacniacz z technologią Super Junction. Zapewnia ona najlepszą w swojej klasie wydajność diod w systemach zasilania SMPS (ang. AC-DC Switch Mode Supplies), takich jak serwery, telekomunikacja, komputery, zasilacze przemysłowe, UPS/ESS, oświetlenie inwertera, wymagające dużej gęstości mocy, wydajności i niezawodności systemu. Dzięki Advanced load balancing, projektanci mogą osiągnąć bardziej wydajne, ekonomiczne i wydajne rozwiązania, które zajmują mniej miejsca na płycie i zwiększają niezawodność. Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 11 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600 V | Typ opakowania: | D2PAK (TO-263) | Seria: | SuperFET | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 380 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Minimalne napięcie progowe VGS: | 3V | Maksymalna strata mocy: | 125 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -30 V, +30 V | Długość: | 10.67mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C |
|
| | |
| | | |
| | | |
| |