|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-6710860 Nr producenta:
FQB12P20TM EAN/GTIN:
5059042846157 |
| |
|
| | |
| Tryb powiększenia P-Channel MOSFET, ON Semiconductor. Na temat półprzewodników z serii P-Channel MOSFET produkowanych jest metodą ON Semi, o dużej gęstości komórek, opartą na technologii DMOS. Ten proces o bardzo dużej gęstości został zaprojektowany w taki sposób, aby zminimalizować odporność na zmiany stanu w celu zapewnienia solidnej i niezawodnej wydajności przy szybkim przełączaniu. Charakterystyka i zalety:. Przełącznik małego sygnału P-Channel sterowany napięciem Konstrukcja komórek o wysokiej gęstości Wysokie natężenie nasycenia Doskonałe przełączanie Wysoka wytrzymałość i niezawodność Technologia DMOS. Zastosowania:. Przełączanie obciążenia Przetwornik DC/DC Zabezpieczenie akumulatora Kontrola zarządzania energią Sterowanie silnikiem prądu stałego Dalsze informacje: | | Typ kanału: | P | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 11.5 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200 V | Typ opakowania: | D2PAK (TO-263) | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 470 mΩ | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Minimalne napięcie progowe VGS: | 3V | Maksymalna strata mocy: | 3.13 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -30 V, +30 V | Długość: | 10.67mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150 °C | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| | |
| | | |
| | | |
| |