MOSFET N-kanałowy 7.5 A SOIC 30 V SMD Izolacja 2 W 19,5 milioma

Liczba:

szt.

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-7103327

Producent:
Vishay

Nr producenta:
SI4214DDY-T1-GE3

EAN/GTIN:
5059040975743

Słowa kluczowe:

Podwójny MOSFET N-Channel, Vishay Semiconductor

Dalsze informacje:


Typ kanału:	N
Maksymalny ciągły prąd drenu:	7.5 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:	30 V
Typ opakowania:	SOIC
Typ montażu:	Montaż powierzchniowy
Liczba styków:	8
Maksymalna rezystancja dren-źródło:	19,5 milioma
Tryb kanałowy:	Rozszerzenie
Minimalne napięcie progowe VGS:	1.2V
Maksymalna strata mocy:	2 W
Konfiguracja tranzystora:	Izolacja
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	-20 V, +20 V
Długość:	5mm
Maksymalna temperatura robocza:	+150 °C
Liczba elementów na układ:	2

Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory SMD, tranzystor smd, 7103327, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SI4214DDYT1GE3

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 1,381*

Cena obowiązuje od 75 000 szt.

Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 5 szt.

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

od 5 szt.	PLN 3,123*	PLN 3,841	za szt.
od 50 szt.	PLN 2,705*	PLN 3,327	za szt.
od 100 szt.	PLN 2,575*	PLN 3,167	za szt.
od 250 szt.	PLN 1,90*	PLN 2,337	za szt.
od 500 szt.	PLN 1,593*	PLN 1,959	za szt.
od 1250 szt.	PLN 1,561*	PLN 1,92	za szt.
od 75000 szt.	PLN 1,381*	PLN 1,699	za szt.

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.