MOSFET N-kanałowy 10 A SOIC 30 V SMD Pojedynczy 1.42 W 33 miliomy

Liczba:

opakowanie

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-7514105

Producent:
Diodes

Nr producenta:
DMG4466SSS-13

EAN/GTIN:
5059045545347

Słowa kluczowe:

N-Channel MOSFET, 30V, Diody Inc

Dalsze informacje:


Typ kanału:	N
Maksymalny ciągły prąd drenu:	10 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:	30 V
Typ opakowania:	SOIC
Typ montażu:	Montaż powierzchniowy
Liczba styków:	8
Maksymalna rezystancja dren-źródło:	33 miliomy
Tryb kanałowy:	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS:	2.4V
Maksymalna strata mocy:	1.42 W
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	-25 V, +25 V
Długość:	4.95mm
Maksymalna temperatura robocza:	+150 °C
Liczba elementów na układ:	1

Dalsze słowa kluczowe: 7514105, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, DiodesZetex, DMG4466SSS13

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 18,535*

Cena obowiązuje od 7 500 opakowania

1 opakowanie zawiera 25 szt. (od PLN 0,7414* za szt.)

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 opakowanie	PLN 43,405*	PLN 53,38815	za opakowanie
od 5 opakowania	PLN 22,985*	PLN 28,27155	za opakowanie
od 10 opakowania	PLN 22,905*	PLN 28,17315	za opakowanie
od 20 opakowania	PLN 21,755*	PLN 26,75865	za opakowanie
od 50 opakowania	PLN 21,225*	PLN 26,10675	za opakowanie
od 7500 opakowania	PLN 18,535*	PLN 22,79805	za opakowanie