MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 4,1 A; 4,98 A SOIC 30 V SMD Pełny mostek 1.35 W 60 mΩ, 80 mΩ

Liczba:

opakowanie

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-7515344

Producent:
Diodes

Nr producenta:
ZXMHC3F381N8TC

EAN/GTIN:
5059043782393

Słowa kluczowe:

Dodatkowy tryb wzmacniający MOSFET H-Bridge, Diodes Inc.

Dalsze informacje:


Typ kanału:	N, P
Maksymalny ciągły prąd drenu:	4,1 A; 4,98 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:	30 V
Typ opakowania:	SOIC
Typ montażu:	Montaż powierzchniowy
Liczba styków:	8
Maksymalna rezystancja dren-źródło:	60 mΩ, 80 mΩ
Tryb kanałowy:	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS:	3V
Maksymalna strata mocy:	1.35 W
Konfiguracja tranzystora:	Pełny mostek
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	-20 V, +20 V
Długość:	5mm
Maksymalna temperatura robocza:	+150 °C
Liczba elementów na układ:	4

Dalsze słowa kluczowe: 7515344, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, DiodesZetex, ZXMHC3F381N8TC

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 10,535*

Cena obowiązuje od 7 500 opakowania

1 opakowanie zawiera 5 szt. (od PLN 2,107* za szt.)

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 opakowanie	PLN 27,17*	PLN 33,4191	za opakowanie
od 5 opakowania	PLN 20,37*	PLN 25,0551	za opakowanie
od 10 opakowania	PLN 20,20*	PLN 24,846	za opakowanie
od 20 opakowania	PLN 19,19*	PLN 23,6037	za opakowanie
od 25 opakowania	PLN 15,215*	PLN 18,71445	za opakowanie
od 50 opakowania	PLN 14,915*	PLN 18,34545	za opakowanie
od 125 opakowania	PLN 13,26*	PLN 16,3098	za opakowanie
od 250 opakowania	PLN 12,095*	PLN 14,87685	za opakowanie
od 7500 opakowania	PLN 10,535*	PLN 12,95805	za opakowanie

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.