MOSFET N-kanałowy 11 A TO-220 800 V Pojedynczy 156 W 450 miliomów

Liczba:

szt.

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-7533190

Producent:
Infineon

Nr producenta:
SPP11N80C3

EAN/GTIN:
5059043798004

Słowa kluczowe:

Infineon CoolMOS™ C3 Moc

Dalsze informacje:


Typ kanału:	N
Maksymalny ciągły prąd drenu:	11 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:	800 V
Typ opakowania:	TO-220
Seria:	CoolMOS C3
Typ montażu:	Otwór przezierny
Liczba styków:	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło:	450 miliomów
Tryb kanałowy:	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS:	3.9V
Minimalne napięcie progowe VGS:	2.1V
Maksymalna strata mocy:	156 W
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	-20 V, +20 V
Długość:	10.36mm

Dalsze słowa kluczowe: 7533190, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, SPP11N80C3

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 8,711*

Cena obowiązuje od 15 000 szt.

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 szt.	PLN 13,716*	PLN 16,871	za szt.
od 10 szt.	PLN 12,68*	PLN 15,596	za szt.
od 20 szt.	PLN 12,28*	PLN 15,104	za szt.
od 25 szt.	PLN 11,73*	PLN 14,428	za szt.
od 50 szt.	PLN 10,849*	PLN 13,344	za szt.
od 100 szt.	PLN 9,961*	PLN 12,252	za szt.
od 15000 szt.	PLN 8,711*	PLN 10,715	za szt.