| |
|
| Nr artykułu: 3MTJS-7545428 Nr producenta: IPB036N12N3GATMA1 EAN/GTIN: 5059043805672 |
| |
|
| | |
| Infineon tranzystory zasilające MOSFET OptiMOS™3, 100 V i więcej Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 180 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 120 V | Typ opakowania: | D2PAK-7 | Seria: | OptiMOS 3 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 7 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 3,6 milioma | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 2V | Maksymalna strata mocy: | 300 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -20 V, +20 V | Długość: | 10.31mm |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: MOSFET mocy, MOSFET dużej mocy, MOSFET, Tranzystor MOSFET, Tranzystory MOSFET, Tranzystor SMD, Tranzystory SMD, tranzystor polowy, 7545428, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IPB036N12N3GATMA1 |
| | |
| | | Oferty (2) | | |
| | Stan magazynu | | | Wysyłka | | | | | | | | | | | | | | | | PLN 12,90* | od PLN 12,70* | PLN 26,81* | | | | Magazyn 3MTJS | | | | | | PLN 15,90* | od PLN 19,944* | PLN 31,325* | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | Ceny: Magazyn 3MTJS | | Liczba zamawianego produktu | Netto | Brutto | Jednostka | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |
|
| | | | | Stan magazynu: Magazyn 3MTJS | | Wysyłka: Magazyn 3MTJS | | | | | | Wartość zamówienia | Wysyłka | od PLN 0,00* | PLN 15,90* | | od PLN 330,00* | Dostawa bezpłatna |
|
| | | | | Zasady zwrotu artykułu: Magazyn 3MTJS | | | Okres czasu: | w przeciągu 21 dni | Stan opakowania: | opakowanie oryginalne nieotwarte, brak uszkodzeń | Stan towaru: | nieużywany | Koszty przesyłki zwrotnej: | ponosi klient | Opłata manipulacyjna: | Koszty zostaną ustalone przez partnera handlowego po sprawdzeniu każdego poszczególnego przypadku. | Okres gwarancyjny wg Ogólnych Warunków Handlowych pozostaje niezależny od podanych praw do zwrotu. |
|
| | | | | | | |
|