| |
|
| Nr artykułu: 3MTJS-7603123 Nr producenta: 2SK208-R(TE85L,F) EAN/GTIN: 5059041511544 |
| |
|
| | |
| Kanał N, JFET, Toshiba Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Idss – prąd nasycenia drenu przy zerowym napięciu: | 0.3 to 0.75mA | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 10 V | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -30 V | Maksymalne napięcie dren-bramka: | -50V | Konfiguracja: | Pojedyncza | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Typ opakowania: | SOT-346 (SC-59) | Liczba styków: | 3 | Wymiary: | 2.9 x 1.5 x 1.1mm | Wysokość: | 1.1mm | Długość: | 2.9mm | Maksymalna temperatura robocza: | +125 °C | Minimalna temperatura robocza: | -55 °C |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: Tranzystor polowy złączowy, Tranzystory polowe złączowe, Tranzystor SMD, Tranzystory SMD, Tranzystor, Tranzystory, tranzystor toshiba, tranzystor polowy, 7603123, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory JFET, Toshiba, 2SK208R(TE85L,F) |
| | |
| |