|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-7619834 Nr producenta:
FDC6306P EAN/GTIN:
5059042879469 |
| |
|
| | |
| PowerTrench® Dual P-Channel MOSFET, firma Fairchild Semiconductor. Tranzystory PowerTTrench® MOSFET to zoptymalizowane przełączniki mocy, które zwiększają wydajność systemu i gęstość mocy. Łączą one mały ładunek (QG) bramki, mały ładunek odzyskiwania wstecznego (Qrr) i diodę miękkiego powrotu do tyłu, co przyczynia się do szybkiego przełączania synchronicznego prostownika w zasilaczach AC/DC. Najnowsze tranzystory PowerTrench® MOSFET, wykorzystujące ekranowaną strukturę bramki zapewniającą równowagę ładowania. Dzięki wykorzystaniu tej Advanced Technology, FOM (rysunek połączenia) tych urządzeń jest znacznie niższy niż w poprzedniej generacji. Wydajność diod z miękkiej obudowy tranzystorów MOSFET PowerTTrench® umożliwia wyeliminowanie obwodu tabakorowego lub zastąpienie wyższego poziomu napięcia MOSFET. Dalsze informacje: | | Typ kanału: | P | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 1,9 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20 V | Typ opakowania: | SOT-23 | Seria: | PowerTrench | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 6 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 270 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Minimalne napięcie progowe VGS: | 0.4V | Maksymalna strata mocy: | 960 mW | Konfiguracja tranzystora: | Izolacja | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -8 V, +8 V | Długość: | 3mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: 7619834, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, onsemi, FDC6306P |
| | |
| |