MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 5,4 A; 6,4 A SOIC 30 V SMD Izolacja 2,1 W 50 miliomów

Liczba:

opakowanie

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-7703393

Producent:
Diodes

Nr producenta:
ZXMC3A16DN8TA

EAN/GTIN:
5059043034782

Słowa kluczowe:

Podwójny MOSFET N/P-Channel, Diodes Inc.

Dalsze informacje:


Typ kanału:	N, P
Maksymalny ciągły prąd drenu:	5,4 A; 6,4 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:	30 V
Typ opakowania:	SOIC
Typ montażu:	Montaż powierzchniowy
Liczba styków:	8
Maksymalna rezystancja dren-źródło:	50 miliomów
Tryb kanałowy:	Rozszerzenie
Minimalne napięcie progowe VGS:	1V
Maksymalna strata mocy:	2,1 W
Konfiguracja tranzystora:	Izolacja
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	-20 V, +20 V
Długość:	5mm
Maksymalna temperatura robocza:	+150°C
Liczba elementów na układ:	2

Dalsze słowa kluczowe: 7703393, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, DiodesZetex, ZXMC3A16DN8TA

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 12,88*

Cena obowiązuje od 7 500 opakowania

1 opakowanie zawiera 5 szt. (od PLN 2,576* za szt.)

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 opakowanie	PLN 16,34*	PLN 20,0982	za opakowanie
od 5 opakowania	PLN 16,15*	PLN 19,8645	za opakowanie
od 10 opakowania	PLN 15,94*	PLN 19,6062	za opakowanie
od 20 opakowania	PLN 15,20*	PLN 18,696	za opakowanie
od 50 opakowania	PLN 14,82*	PLN 18,2286	za opakowanie
od 7500 opakowania	PLN 12,88*	PLN 15,8424	za opakowanie

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.