|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-7863647 Nr producenta:
STF18N60M2 EAN/GTIN:
5059042382495 |
| |
|
| | |
| N-kanałowy zestaw do mikroelektroniki MDmesh™ serii M2 STMicroelectronics. Seria wysokonapięciowych tranzystorów zasilających MOSFET firmy STMicroelectronics. Dzięki niskiemu obciążeniu bramki i doskonałej charakterystyce pojemności wyjściowej, seria MDmesh M2 jest idealna do stosowania w rezonansowych sieciach przełączających (konwertery LLC). Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 13 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650 V | Typ opakowania: | TO-220FP | Seria: | MDmesh M2 | Typ montażu: | Otwór przezierny | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 280 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 2V | Maksymalna strata mocy: | 25 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -25 V, +25 V | Długość: | 10.4mm |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: 7863647, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, STMicroelectronics, STF18N60M2 |
| | |
| |