IGBT Ic 80 A Uce 650 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 375 W

Liczba:

szt.

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-7925802

Producent:
ST Microelectronics

Nr producenta:
STGW60H65DFB

EAN/GTIN:
5059042397512

Słowa kluczowe:

Dyskretne IGBT STMicroelectronics

Dalsze informacje:


Maksymalny ciągły prąd kolektora:	80 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:	±20V
Maksymalna strata mocy:	375 W
Typ opakowania:	TO-247
Typ montażu:	Otwór przezierny
Typ kanału:	N
Liczba styków:	3
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Wymiary:	15.75 x 5.15 x 20.15mm
Maksymalna temperatura robocza:	+175°C
Minimalna temperatura robocza:	-55°C

Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 7925802, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, STMicroelectronics, STGW60H65DFB

Oferty (2)

Stan magazynu

Wysyłka

Cena ruchoma

Cena jednostkowa

PLN 12,90*

od PLN 14,45*

PLN 25,70*

Magazyn 3MTJS

PLN 15,90*

od PLN 15,85*

PLN 27,54*

Ceny: Magazyn 3MTJS

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 szt.	PLN 27,54*	PLN 33,87	za szt.
od 5 szt.	PLN 25,61*	PLN 31,50	za szt.
od 10 szt.	PLN 22,24*	PLN 27,36	za szt.
od 20 szt.	PLN 21,45*	PLN 26,38	za szt.
od 25 szt.	PLN 19,32*	PLN 23,76	za szt.
od 50 szt.	PLN 18,04*	PLN 22,19	za szt.
od 7500 szt.	PLN 15,85*	PLN 19,50	za szt.

Stan magazynu: Magazyn 3MTJS

Wysyłka: Magazyn 3MTJS

Zasady zwrotu artykułu: Magazyn 3MTJS

Okres czasu:	w przeciągu 21 dni
Stan opakowania:	opakowanie oryginalne nieotwarte, brak uszkodzeń
Stan towaru:	nieużywany
Koszty przesyłki zwrotnej:	ponosi klient
Opłata manipulacyjna:	Koszty zostaną ustalone przez partnera handlowego po sprawdzeniu każdego poszczególnego przypadku.
Okres gwarancyjny wg Ogólnych Warunków Handlowych pozostaje niezależny od podanych praw do zwrotu.