IGBT Ic 80 A Uce 650 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 283 W

Liczba:

opakowanie

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-7925805

Producent:
ST Microelectronics

Nr producenta:
STGW40H65FB

EAN/GTIN:
5059042076677

Słowa kluczowe:

Dyskretne IGBT STMicroelectronics

Dalsze informacje:


Maksymalny ciągły prąd kolektora:	80 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:	±20V
Maksymalna strata mocy:	283 W
Typ opakowania:	TO-247
Typ montażu:	Otwór przezierny
Typ kanału:	N
Liczba styków:	3
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Wymiary:	15.75 x 5.15 x 20.15mm
Maksymalna temperatura robocza:	+175°C
Minimalna temperatura robocza:	-55°C

Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 7925805, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, STMicroelectronics, STGW40H65FB

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 20,12*

Cena obowiązuje od 7 500 opakowania

1 opakowanie zawiera 2 szt. (od PLN 10,06* za szt.)

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 opakowanie	PLN 37,284*	PLN 45,85932	za opakowanie
od 5 opakowania	PLN 30,936*	PLN 38,05128	za opakowanie
od 10 opakowania	PLN 29,886*	PLN 36,75978	za opakowanie
od 20 opakowania	PLN 29,056*	PLN 35,73888	za opakowanie
od 50 opakowania	PLN 22,91*	PLN 28,1793	za opakowanie
od 7500 opakowania	PLN 20,12*	PLN 24,7476	za opakowanie