IGBT Ic 120 A Uce 650 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 469 W

Liczba:

szt.

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-7925814

Producent:
ST Microelectronics

Nr producenta:
STGW80H65DFB

EAN/GTIN:
5059042066180

Słowa kluczowe:

Dyskretne IGBT STMicroelectronics

Dalsze informacje:


Maksymalny ciągły prąd kolektora:	120 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:	±20V
Maksymalna strata mocy:	469 W
Typ opakowania:	TO-247
Typ montażu:	Otwór przezierny
Typ kanału:	N
Liczba styków:	3
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Wymiary:	15.75 x 5.15 x 20.15mm
Maksymalna temperatura robocza:	+175°C
Minimalna temperatura robocza:	-55°C

Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 7925814, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, STMicroelectronics, STGW80H65DFB

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 19,877*

Cena obowiązuje od 7 500 szt.

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 szt.	PLN 34,241*	PLN 42,116	za szt.
od 5 szt.	PLN 31,799*	PLN 39,113	za szt.
od 10 szt.	PLN 27,423*	PLN 33,73	za szt.
od 20 szt.	PLN 26,723*	PLN 32,869	za szt.
od 25 szt.	PLN 24,039*	PLN 29,568	za szt.
od 50 szt.	PLN 22,637*	PLN 27,844	za szt.
od 7500 szt.	PLN 19,877*	PLN 24,449	za szt.