IGBT Ic 120 A Uce 600 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 469 W

Liczba:

szt.

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-7925827

Producent:
ST Microelectronics

Nr producenta:
STGW80V60DF

EAN/GTIN:
5059042626070

Słowa kluczowe:

Dyskretne IGBT STMicroelectronics

Dalsze informacje:


Maksymalny ciągły prąd kolektora:	120 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	600 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:	±20V
Maksymalna strata mocy:	469 W
Typ opakowania:	TO-247
Typ montażu:	Otwór przezierny
Typ kanału:	N
Liczba styków:	3
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Wymiary:	15.75 x 5.15 x 20.15mm
Maksymalna temperatura robocza:	+175°C
Minimalna temperatura robocza:	-40°C

Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 7925827, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, STMicroelectronics, STGW80V60DF

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 18,449*

Cena obowiązuje od 7 500 szt.

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 szt.	PLN 32,828*	PLN 40,378	za szt.
od 5 szt.	PLN 30,367*	PLN 37,351	za szt.
od 10 szt.	PLN 26,038*	PLN 32,027	za szt.
od 20 szt.	PLN 25,388*	PLN 31,227	za szt.
od 25 szt.	PLN 22,791*	PLN 28,033	za szt.
od 50 szt.	PLN 21,359*	PLN 26,272	za szt.
od 7500 szt.	PLN 18,449*	PLN 22,692	za szt.