IGBT Ic 30 A Uce 600 V TO-3P Pojedynczy kanał: N 170 W

Liczba:

szt.

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-7965058

Producent:
Toshiba

Nr producenta:
GT30J121

EAN/GTIN:
5059041138628

Słowa kluczowe:

Moduł IGBT dyskretes Toshiba

Dalsze informacje:


Maksymalny ciągły prąd kolektora:	30 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	600 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:	±20V
Maksymalna strata mocy:	170 W
Typ opakowania:	TO-3P
Typ montażu:	Otwór przezierny
Typ kanału:	N
Liczba styków:	3
Szybkość przełączania:	1MHz
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Wymiary:	15.9 x 4.8 x 20mm
Maksymalna temperatura robocza:	+150°C

Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, igbt toshiba, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 7965058, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Toshiba, GT30J121

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 11,00*

Cena obowiązuje od 7 500 szt.

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 szt.	PLN 18,75*	PLN 23,06	za szt.
od 5 szt.	PLN 18,33*	PLN 22,55	za szt.
od 10 szt.	PLN 18,16*	PLN 22,34	za szt.
od 20 szt.	PLN 17,25*	PLN 21,22	za szt.
od 25 szt.	PLN 16,39*	PLN 20,16	za szt.
od 50 szt.	PLN 15,12*	PLN 18,60	za szt.
od 200 szt.	PLN 13,52*	PLN 16,63	za szt.
od 400 szt.	PLN 12,63*	PLN 15,53	za szt.
od 7500 szt.	PLN 11,00*	PLN 13,53	za szt.

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.