|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-8011382 Nr producenta:
IXFH18N100Q3 EAN/GTIN:
5059041646925 |
| |
|
| | |
| N-kanałowy MOSFET, IXYS Seria HiperFET™ Q3. Tranzystory zasilające IXYS klasy Q3 HiperFET™ MOSFET są odpowiednie zarówno do przełączania w trybie trudnym, jak i w trybie rezonansowym, a także zapewniają niski poziom naładowania bramki z wyjątkową wytrzymałością. Urządzenia są wyposażone w diodę o dużej wewnętrznej mocy i są dostępne w różnych standardowych opakowaniach, w tym w opakowaniach izolowanych, o znamionach do 1100 V i 70 A. Typowe zastosowania obejmują przemienniki DC-DC, ładowarki akumulatorów, przełączniki i zasilacze rezonansowe, DC Choppers, sterowanie temperaturą i oświetleniem. Szybka dioda prostownicza Niski RDS(włączone) i QG (ładowanie bramki) Niska wewnętrzna oporność bramki Obudowy zgodne z normami przemysłowymi Niska indukcyjność obudowy Duża gęstość mocy Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 18 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 1000 V | Typ opakowania: | TO-247 | Seria: | HiperFET, Q3-Class | Typ montażu: | Otwór przezierny | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 660 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 6.5V | Maksymalna strata mocy: | 830 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -30 V, +30 V | Długość: | 16.26mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C |
|
| | |
| | | |
| | | |
| |