IGBT Ic 80 A Uce 600 V TO-3PF Pojedynczy kanał: N 115 W

Liczba:

opakowanie

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-8070763

Producent:
onsemi

Nr producenta:
FGAF40N60SMD

EAN/GTIN:
5059042026290

Słowa kluczowe:

Dyskretne Fairchild Semiconductor

Dalsze informacje:


Maksymalny ciągły prąd kolektora:	80 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	600 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:	±20V
Maksymalna strata mocy:	115 W
Typ opakowania:	TO-3PF
Typ montażu:	Otwór przezierny
Typ kanału:	N
Liczba styków:	3
Szybkość przełączania:	1MHz
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Wymiary:	15.7 x 3.2 x 26.7mm
Maksymalna temperatura robocza:	+175°C
Minimalna temperatura robocza:	-55°C

Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 8070763, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, onsemi, FGAF40N60SMD

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 32,26*

Cena obowiązuje od 3 000 opakowania

1 opakowanie zawiera 2 szt. (od PLN 16,13* za szt.)

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 opakowanie	PLN 48,78*	PLN 59,9994	za opakowanie
od 2 opakowania	PLN 48,21*	PLN 59,2983	za opakowanie
od 5 opakowania	PLN 39,62*	PLN 48,7326	za opakowanie
od 10 opakowania	PLN 38,11*	PLN 46,8753	za opakowanie
od 20 opakowania	PLN 37,19*	PLN 45,7437	za opakowanie
od 3000 opakowania	PLN 32,26*	PLN 39,6798	za opakowanie