MOSFET N-kanałowy 12 A SOIC 30 V SMD Pojedynczy 5 W 33 miliomy

Liczba:

opakowanie

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-8123205

Producent:
Vishay

Nr producenta:
SI4178DY-T1-GE3

EAN/GTIN:
5059040791947

Słowa kluczowe:

MOSFET N-Channel, od 30 V do 50 V, Vishay Semiconductor

Dalsze informacje:


Typ kanału:	N
Maksymalny ciągły prąd drenu:	12 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:	30 V
Typ opakowania:	SOIC
Typ montażu:	Montaż powierzchniowy
Liczba styków:	8
Maksymalna rezystancja dren-źródło:	33 miliomy
Tryb kanałowy:	Rozszerzenie
Minimalne napięcie progowe VGS:	1.4V
Maksymalna strata mocy:	5 W
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	-25 V, +25 V
Długość:	5mm
Maksymalna temperatura robocza:	+150°C
Liczba elementów na układ:	1

Dalsze słowa kluczowe: 8123205, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SI4178DYT1GE3

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 22,99*

Cena obowiązuje od 3 000 opakowania

1 opakowanie zawiera 20 szt. (od PLN 1,1495* za szt.)

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 opakowanie	PLN 53,59*	PLN 65,9157	za opakowanie
od 2 opakowania	PLN 53,09*	PLN 65,3007	za opakowanie
od 5 opakowania	PLN 51,97*	PLN 63,9231	za opakowanie
od 10 opakowania	PLN 39,55*	PLN 48,6465	za opakowanie
od 20 opakowania	PLN 38,92*	PLN 47,8716	za opakowanie
od 25 opakowania	PLN 36,55*	PLN 44,9565	za opakowanie
od 50 opakowania	PLN 31,63*	PLN 38,9049	za opakowanie
od 100 opakowania	PLN 26,26*	PLN 32,2998	za opakowanie
od 3000 opakowania	PLN 22,99*	PLN 28,2777	za opakowanie