|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-8123233 Nr producenta:
SI4599DY-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059040793798 |
| |
|
| | |
| Podwójny MOSFET N/P-Channel, Vishay Semiconductor Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N, P | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 4,7 A; 6,8 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40 V | Typ opakowania: | SOIC | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 42.5 mΩ, 62 mΩ | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Minimalne napięcie progowe VGS: | 1.2V | Maksymalna strata mocy: | 3 W; 3,1 W | Konfiguracja tranzystora: | Izolacja | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -20 V, +20 V | Długość: | 5mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C | Liczba elementów na układ: | 2 |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: tranzystor mosfet, 8123233, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SI4599DYT1GE3 |
| | |
| | | Oferty (2) | | |
| | Stan magazynu | Min. liczba zamawianych produktów | | Wysyłka | | | | | | | | | | | | | | Magazyn 3MTJS | | | | 20 | | PLN 15,90* | od PLN 1,387* | PLN 1,387* | | | | | | | | | 1 | | PLN 12,90* | od PLN 1,43* | PLN 3,91* | | | | | | | | | | | | | | | | | Ceny: Magazyn 3MTJS | | Liczba zamawianego produktu | Netto | Brutto | Jednostka | | | | | | Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 20 szt. | Minimalna liczba zamawianych produktów: 20 szt. ( odpowiada PLN 27,74* plus VAT ) |
|
| | | | | Stan magazynu: Magazyn 3MTJS | | Wysyłka: Magazyn 3MTJS | | | | | | Wartość zamówienia | Wysyłka | od PLN 0,00* | PLN 15,90* | | od PLN 330,00* | Dostawa bezpłatna |
|
| | | | | Zasady zwrotu artykułu: Magazyn 3MTJS | | | | Okres czasu: | w przeciągu 21 dni | | Stan opakowania: | opakowanie oryginalne nieotwarte, brak uszkodzeń | | Stan towaru: | nieużywany | | Koszty przesyłki zwrotnej: | ponosi klient | | Opłata manipulacyjna: | Koszty zostaną ustalone przez partnera handlowego po sprawdzeniu każdego poszczególnego przypadku. | | Okres gwarancyjny wg Ogólnych Warunków Handlowych pozostaje niezależny od podanych praw do zwrotu. |
|
| | | | | | | |
|