MOSFET P-kanałowy 2,2 A SOT-23 20 V SMD Pojedynczy 3 W 180 miliomów

Liczba:

opakowanie

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-8193908

Producent:
Vishay

Nr producenta:
SQ2301ES-T1-GE3

EAN/GTIN:
5059040639751

Słowa kluczowe:

P-Channel MOSFET, seria SQ Ruged, Vishay Semiconductor

Dalsze informacje:


Typ kanału:	P
Maksymalny ciągły prąd drenu:	2,2 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:	20 V
Typ opakowania:	SOT-23
Seria:	SQ Rugged
Typ montażu:	Montaż powierzchniowy
Liczba styków:	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło:	180 miliomów
Tryb kanałowy:	Rozszerzenie
Minimalne napięcie progowe VGS:	0.45V
Maksymalna strata mocy:	3 W
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	-8 V, +8 V
Długość:	3.04mm
Maksymalna temperatura robocza:	+175°C

Dalsze słowa kluczowe: 8193908, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SQ2301EST1GE3

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 9,74*

Cena obowiązuje od 7 500 opakowania

1 opakowanie zawiera 20 szt. (od PLN 0,487* za szt.)

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 opakowanie	PLN 12,40*	PLN 15,252	za opakowanie
od 5 opakowania	PLN 12,24*	PLN 15,0552	za opakowanie
od 10 opakowania	PLN 12,13*	PLN 14,9199	za opakowanie
od 20 opakowania	PLN 11,84*	PLN 14,5632	za opakowanie
od 50 opakowania	PLN 11,15*	PLN 13,7145	za opakowanie
od 7500 opakowania	PLN 9,74*	PLN 11,9802	za opakowanie

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.