MOSFET N-kanałowy 110 A VSONP 100 V SMD Pojedynczy 125 W 7,8 milioma

Liczba:

opakowanie

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-8239259

Producent:
Texas Instruments

Nr producenta:
CSD19531Q5AT

EAN/GTIN:
5059042128901

Słowa kluczowe:

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

Dalsze informacje:


Typ kanału:	N
Maksymalny ciągły prąd drenu:	110 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:	100 V
Typ opakowania:	VSONP
Seria:	NexFET
Typ montażu:	Montaż powierzchniowy
Liczba styków:	8
Maksymalna rezystancja dren-źródło:	7,8 milioma
Tryb kanałowy:	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS:	3.3V
Minimalne napięcie progowe VGS:	2.2V
Maksymalna strata mocy:	125 W
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	-20 V, +20 V
Długość:	6.1mm

Dalsze słowa kluczowe: 8239259, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Texas Instruments, CSD19531Q5AT

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 28,885*

Cena obowiązuje od 3 000 opakowania

1 opakowanie zawiera 5 szt. (od PLN 5,777* za szt.)

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 opakowanie	PLN 49,89*	PLN 61,3647	za opakowanie
od 2 opakowania	PLN 49,23*	PLN 60,5529	za opakowanie
od 5 opakowania	PLN 45,515*	PLN 55,98345	za opakowanie
od 10 opakowania	PLN 39,38*	PLN 48,4374	za opakowanie
od 20 opakowania	PLN 38,76*	PLN 47,6748	za opakowanie
od 25 opakowania	PLN 34,87*	PLN 42,8901	za opakowanie
od 50 opakowania	PLN 33,085*	PLN 40,69455	za opakowanie
od 3000 opakowania	PLN 28,885*	PLN 35,52855	za opakowanie

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.