MOSFET N-kanałowy 120 A D2PAK (TO-263) 100 V SMD Pojedynczy 300 W 4,5 milioma

Liczba:

opakowanie

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-8259235

Producent:
Infineon

Nr producenta:
IPB027N10N3GATMA1

EAN/GTIN:
5059043033242

Słowa kluczowe:

Infineon tranzystory zasilające MOSFET OptiMOS™3, 100 V i więcej

Dalsze informacje:


Typ kanału:	N
Maksymalny ciągły prąd drenu:	120 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:	100 V
Typ opakowania:	D2PAK (TO-263)
Seria:	OptiMOS 3
Typ montażu:	Montaż powierzchniowy
Liczba styków:	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło:	4,5 milioma
Tryb kanałowy:	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS:	3.5V
Minimalne napięcie progowe VGS:	2V
Maksymalna strata mocy:	300 W
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	-20 V, +20 V
Długość:	10.31mm

Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory MOSFET, mosfet mocy, 8259235, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IPB027N10N3GATMA1

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 18,214*

Cena obowiązuje od 7 500 opakowania

1 opakowanie zawiera 2 szt. (od PLN 9,107* za szt.)

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 opakowanie	PLN 23,514*	PLN 28,92222	za opakowanie
od 5 opakowania	PLN 22,854*	PLN 28,11042	za opakowanie
od 10 opakowania	PLN 22,274*	PLN 27,39702	za opakowanie
od 20 opakowania	PLN 21,414*	PLN 26,33922	za opakowanie
od 50 opakowania	PLN 21,014*	PLN 25,84722	za opakowanie
od 7500 opakowania	PLN 18,214*	PLN 22,40322	za opakowanie

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.