MOSFET N-kanałowy 9,3 A U-DFN2030 20 V SMD Izolacja 1,7 W 28 miliomów

Liczba:

opakowanie

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-8270462

Producent:
Diodes

Nr producenta:
DMN2014LHAB-7

EAN/GTIN:
5059043395494

Słowa kluczowe:

Podwójny N-Channel MOSFET, Diodes Inc.

Dalsze informacje:


Typ kanału:	N
Maksymalny ciągły prąd drenu:	9,3 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:	20 V
Typ opakowania:	U-DFN2030
Typ montażu:	Montaż powierzchniowy
Liczba styków:	6
Maksymalna rezystancja dren-źródło:	28 miliomów
Tryb kanałowy:	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS:	1.1V
Maksymalna strata mocy:	1,7 W
Konfiguracja tranzystora:	Izolacja
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	-12 V, +12 V
Długość:	3.05mm
Maksymalna temperatura robocza:	+150°C
Liczba elementów na układ:	2

Dalsze słowa kluczowe: 8270462, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, DiodesZetex, DMN2014LHAB7

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 42,11*

Cena obowiązuje od 3 000 opakowania

1 opakowanie zawiera 50 szt. (od PLN 0,8422* za szt.)

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 opakowanie	PLN 110,43*	PLN 135,8289	za opakowanie
od 2 opakowania	PLN 108,99*	PLN 134,0577	za opakowanie
od 3 opakowania	PLN 66,47*	PLN 81,7581	za opakowanie
od 5 opakowania	PLN 64,34*	PLN 79,1382	za opakowanie
od 6 opakowania	PLN 61,72*	PLN 75,9156	za opakowanie
od 10 opakowania	PLN 60,41*	PLN 74,3043	za opakowanie
od 12 opakowania	PLN 58,13*	PLN 71,4999	za opakowanie
od 20 opakowania	PLN 57,48*	PLN 70,7004	za opakowanie
od 24 opakowania	PLN 48,08*	PLN 59,1384	za opakowanie
od 3000 opakowania	PLN 42,11*	PLN 51,7953	za opakowanie

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.